Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი , China Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი Manufacturers, Suppliers, Factory

Პროდუქტის აღწერა

Ინდუქციურად კაპაციტეტურად შეკრულებული პლაზმის გაჭრვის (icp) სისტემა

Ინდუქციურად დაკავშირებული რეაქტიული იონური გაჭრის ტექნოლოგია RIE-ს ერთ-ერთი სახეა. ეს ტექნოლოგია პლაზმის იონური სიმკვრივის და იონური ენერგიის დამოუკიდებლობას ახდენს იონური ნაკადის დამოუკიდებლივ კონტროლის გზით, რითიც გაუმჯობესდება გაჭრის პროცესის კონტროლის სიზუსტე და მოქნილობა.

Მაღალი სიმკვრივის ინდუქციურად ბმული რეაქტიული იონური გაჭრის (ICP-RIE) სერიის პროდუქტები დაფუძნებულია ინდუქციურად ბმული პლაზმის ტექნოლოგიაზე და განკუთვნილია ზუსტი გაჭრისა და ნაერთი ნახევარგამტარების გაჭრის საჭიროებების დასაკმაყოფილებლად. მას ახასიათებს გამოჩენილი პროცესული სტაბილურობა და პროცესული ხელახლა აღდგენის შესაძლებლობა, და გამოსაყენებელია სილიციუმის ნახევარგამტარებში, ოპტოელექტრონიკაში, ინფორმაციისა და კომუნიკაციებში, ენერგეტიკულ მოწყობილობებში და მიკროტალღოვან მოწყობილობებში.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Გამოყენებადი მასალები:

1. სილიციუმზე დაფუძნებული მასალები: სილიციუმი (Si), სილიციუმის დიოქსიდი (SiO2), სილიციუმის ნიტრიდი (SiNx), სილიციუმის კარბიდი (SiC)...

2. III-V მასალები: ინდიუმის ფოსფიდი (InP), გალიუმის არსენიდი (GaAs), გალიუმის ნიტრიდი (GaN)...

3. II-VI მასალები: კადმიუმის ტელურიდი (CdTe)...

4. მაგნიტური მასალები/ალოის მასალები

5. ლითონის მასალები: ალუმინი (Al), ოქრო (Au), ვოლფრამი (W), ტიტანი (Ti), ტანტალი (Ta)...

6. ორგანული მასალები: ფოტომასალა (PR), ორგანული პოლიმერი (PMMA/HDMS), ორგანული თხელი ფირმა...

7. ფეროელექტრული/ფოტოელექტრული მასალები: ლითიუმის ნიობატი (LiNbO3)...

8. დიელექტრიკული მასალები: საფირი (Al2O3), ქვაბადი...

Დაკავშირებული გამოყენება:

1. გრატინგის მომლღობა: გამოიყენება 3D დისპლეებში, მიკრო- ოპტიკურ მოწყობილობებში, ოპტოელექტრონიკაში და ა.შ.;

2. ნაერთი ნახევარგამტარების მომლღობა: გამოიყენება LED-ებში, ლაზერებში, ოპტიკურ კომუნიკაციებში და ა.შ.;

3. ნიმუშის მქონე საფირის სუბსტრატი (PSS);

4. ლითიუმ ნიობატის (LiNO3) მომლღობა: დეტექტორები, ოპტოელექტრონიკა;

Პროცესის შედეგი

Ქვარცი / სილიციუმი / გრატინგის გაჭრვა

BR მასკის გამოყენებით ქვარცის ან სილიციუმის მასალების გაჭრვასას, გრატინგის მასივის მონახაზი მინიმალური ხაზი არის მაქსიმუმ 300 ნამეტრი და მონახაზის მხრის მარცხენა კუთხე ახლოს არის > 89°, რაც შეიძლება გამოიყენოს 3D დისპლეის, მიკრო ოპტიკურ მოწყობილობებში, ოპტოელექტრონული კომუნიკაციები და ა.შ.

Კომპონენტების / სემიკონდუქტორის გაჭრვა

Სანიმუს ზღვის ტემპერატურის ზუსტი კონტროლი განსაზღვრავს GaN-ბაზირებული, GaAs, InP და მეტალურგიული მასალების ეტქინგის მორფოლოგიას. ის შესაბამისია ლურჯი LED მოწყობილობებისთვის, ლაზერებისთვის, ოპტიკური კომუნიკაციებისთვის და სხვა აპლიკაციებისთვის.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Სილიკონ-ბაზირი მასალის ჩაჭრვა

ის შესაბამისია სილიკონ-ბაზირებული მასალების ეტქინგისთვის, როგორიცაა Si, SiO2 და SiNx. ის შეძლებს სილიკონის ხაზის ეტქინგს 50nm-ზე მეტად და სილიკონის ღრმი ხვრელის ეტქინგს 100μm-ზე ნაკლებად.

Სპეციფიკაცია

Პროექტის კონფიგურაცია და მაशინის სტრუქტურული დიაგრამა

Ნივთი	MD150S-ICP	MD200S-ICP	MD150CS-ICP	MD200CS-ICP	MD300C-ICP
Პროდუქტის ზომა	≤6 ინჩი	≤8 ინჩი	≤6 ინჩი	≤8 ინჩი	Საკუთარი≥12ინჩი
SRF ძალის წყარო	0~1000W/2000W/3000W/5000W გამოსახელებელი, ავტომატური დახმარება\,13.56MHz/27MHz
BRF ძალის წყარო	0~300W/0~500W/0~1000W გამოსახელებელი, ავტომატური დახმარება,2MHz/13.56MHz
Მოლეკულარული განსაზღვრებელი	Უარყოფილი: 600/1300 (L/s)/საკუთარი			Ანტი-კოროზიული: 600/1300 (L/s)/საკუთარი		600/1300(L/s) /საკუთარი
Წინადადებითი განსაზღვრებელი	Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა			Ანტიკოროზიული გამხვილი ქურა		Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
Პრე-ქურა ქურა	Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა			Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
Პროცესის წნევა	Უკонтროლირებელი წნევა/0-0.1/1/10Torr კონტროლირებული წნევა
Აირის ტიპი	H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/საკუთარი (მაღლად 12 კანალი, გარეშე კოროზიული და ტოქსინური აირი)			H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Custom(Up to 12 channels)
Გაზის დიაპაზონი	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
ᲩატვირთვაLock	Დიახ/არა			Დიახ
Სანიმუშო ტემპერატურის კონტროლი	10°C~ოთხობის ტემპერატურა/-30°C~150°C/Custom			-30°C~200°C/Custom
Უკან ჰელიუმის გამყიდვა	Დიახ/არა			Დიახ
Პროცესური გამოყენების ჩაღერილობა	Დიახ/არა			Დიახ
Გამოყენების სახელმძღვანელოს ტემპერატურის კონტროლი	Არა/ოთხობის ტემპერატურა-60/120°C			Საცხოვრებელი ტემპერატურა ~60\/120°C
Კონტროლის სისტემა	Ავტო/მიზნების მითითებით
Გამოჭრილი მასალა	Სილიკონ-ბაზი: Si\/SiO2\/ SiNx\/ SiC..... Ორგანიკური მასალები: PR\/ორგანიკური ფილმი......			Სილიკონ-ბაზი: Si\/SiO2\/SiNx\/SiC III-V: InP\/GaAs\/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Მაგნიტული მასალა / ალოის მასალა Მეტალურგიული მასალები: Ni/Cr/Al/Cu/Au... Ორგანიული მასალები: PR/ორგანიული ფილმი...... Სილიკონის ღრების გამჭვირვალება

Შეფუთვა და მიწოდება

Კომპანიის პროფილი

Ჩვენ გვაქვს 16 წლის გამოცდილება აპარატების გაყიდვაში. შეგვიძლია გეცადოთ ერთღელად სემიკონდუქტორული წინა და შემდეგი პაკეტის ხაზის აპარატების პროფესიონალური ამოხსნა ჩინეთიდან.

Მთავარი გვერდი

Ჩვენს შესახებ

MH აპარატურა

Გამოსახულება

Სხვა ქალაქის მომხმარებლები

Ვიდეო

Დაგვიკავშირდით