Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Მთავარი გვერდი
Ჩვენ შესახებ
MH Equipment
Გადაწყვეტილება
Საგარეო მომხმარებლები
Ვიდეო
Დაგვიკავშირეთ
Მთავარი> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი
  • Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი

Ინდუქტიულად კავშირებული პლაზმის ეტჩინგის სისტემა ( ICP ) სემიკონდუქტორული მართი

Პროდუქტის აღწერა
Ინდუქციურად კაპაციტეტურად შეკრულებული პლაზმის გაჭრვის (icp) სისტემა
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Პროცესის შედეგი

Ქვარცი / სილიციუმი / გრატინგის გაჭრვა

BR მასკის გამოყენებით ქვარცის ან სილიციუმის მასალების გაჭრვასას, გრატინგის მასივის მონახაზი მინიმალური ხაზი არის მაქსიმუმ 300 ნამეტრი და მონახაზის მხრის მარცხენა კუთხე ახლოს არის > 89°, რაც შეიძლება გამოიყენოს 3D დისპლეის, მიკრო ოპტიკურ მოწყობილობებში, ოპტოელექტრონული კომუნიკაციები და ა.შ.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Კომპონენტების / სემიკონდუქტორის გაჭრვა

Სანიმუს ზღვის ტემპერატურის ზუსტი კონტროლი განსაზღვრავს GaN-ბაზირებული, GaAs, InP და მეტალურგიული მასალების ეტქინგის მორფოლოგიას. ის შესაბამისია ლურჯი LED მოწყობილობებისთვის, ლაზერებისთვის, ოპტიკური კომუნიკაციებისთვის და სხვა აპლიკაციებისთვის.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Სილიკონ-ბაზირი მასალის ჩაჭრვა

ის შესაბამისია სილიკონ-ბაზირებული მასალების ეტქინგისთვის, როგორიცაა Si, SiO2 და SiNx. ის შეძლებს სილიკონის ხაზის ეტქინგს 50nm-ზე მეტად და სილიკონის ღრმი ხვრელის ეტქინგს 100μm-ზე ნაკლებად.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Სპეციფიკაცია
Პროექტის კონფიგურაცია და მაशინის სტრუქტურული დიაგრამა
Ნივთი
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Პროდუქტის ზომა
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
≤6 ინჩი
≤8 ინჩი
Საკუთარი≥12ინჩი
SRF ძალის წყარო
0~1000W/2000W/3000W/5000W გამოსახელებელი, ავტომატური დახმარება\,13.56MHz/27MHz
BRF ძალის წყარო
0~300W/0~500W/0~1000W გამოსახელებელი, ავტომატური დახმარება,2MHz/13.56MHz
Მოლეკულარული განსაზღვრებელი
Უარყოფილი: 600/1300 (L/s)/საკუთარი
Ანტი-კოროზიული: 600/1300 (L/s)/საკუთარი
600/1300(L/s) /საკუთარი
Წინადადებითი განსაზღვრებელი
Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
Ანტიკოროზიული გამხვილი ქურა
Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
Პრე-ქურა ქურა
Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
Მექანიკური ქურა / გამხვილი ქურა
Პროცესის წნევა
Უკонтროლირებელი წნევა/0-0.1/1/10Torr კონტროლირებული წნევა
Აირის ტიპი
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/
CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/საკუთარი
(მაღლად 12 კანალი, გარეშე კოროზიული და ტოქსინური აირი)
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/
Custom(Up to 12 channels)
Გაზის დიაპაზონი
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Custom
ᲩატვირთვაLock
Დიახ/არა
Დიახ
Სანიმუშო ტემპერატურის კონტროლი
10°C~ოთხობის ტემპერატურა/-30°C~150°C/Custom
-30°C~200°C/Custom
Უკან ჰელიუმის გამყიდვა
Დიახ/არა
Დიახ
Პროცესური გამოყენების ჩაღერილობა
Დიახ/არა
Დიახ
Გამოყენების სახელმძღვანელოს ტემპერატურის კონტროლი
Არა/ოთხობის ტემპერატურა-60/120°C
Საცხოვრებელი ტემპერატურა ~60\/120°C
Კონტროლის სისტემა
Ავტო/მიზნების მითითებით
Გამოჭრილი მასალა
Სილიკონ-ბაზი: Si\/SiO2\/
SiNx\/ SiC.....
Ორგანიკური მასალები: PR\/ორგანიკური
ფილმი......
Სილიკონ-ბაზი: Si\/SiO2\/SiNx\/SiC
III-V: InP\/GaAs\/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Მაგნიტული მასალა / ალოის მასალა
Მეტალურგიული მასალები: Ni/Cr/Al/Cu/Au...
Ორგანიული მასალები: PR/ორგანიული ფილმი......
Სილიკონის ღრების გამჭვირვალება
Შეფუთვა და მიწოდება
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Კომპანიის პროფილი
Ჩვენ გვაქვს 16 წლის გამოცდილება აპარატების გაყიდვაში. შეგვიძლია გეცადოთ ერთღელად სემიკონდუქტორული წინა და შემდეგი პაკეტის ხაზის აპარატების პროფესიონალური ამოხსნა ჩინეთიდან.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Ინკვირი

Ინკვირი Email Whatsapp Top
×

Დაკავშირდით