




Ჩიპის მასალა |
Si და სხვა |
Ჩიპის ზომები |
0.3~30მმ სისქე: 0.05 ~1.0 [მმ] |
Მიწოდების მეთოდები |
2,4 ინჩიანი თასი (ვაფლის თასი, ჟელ-პაკი, მეტალის თასი და ა.შ.) |
Სუბსტრატის მასალა |
SUS, Cu, Si, ნამუშევარი, კერამიკა და სხვა |
Ყუთების რაოდენობა |
2-დუიმიანი ყუთის 8-მდე ან 4-დუიმიანი ყუთის 2-მდე; ჩიფის ან სუბსტრატისთვის ყუთი თავისუფლად შეგიძლია დააყენოთ. |
Სუბსტრატის გარე ზომა |
15~50 [მმ] & 8 [დუიმიანი] ვაფერი |
Ქსელის thicკნები |
Ბრტყელი ფორმის საბაზისო ფირი 0.1~3.0[მმ]; Მილისებრი ფორმის საბაზისო ფირი: A:0.1~2[მმ] B:≤5[მმ], C:≤7[მმ] Ჩიპიდან კონსერვის შიდა კედლამდე მინიმალური მანძილი D: 21მმ |
UPH |
Დაახლოებით 12 [წმ/ციკლი] [ციკლის დროის პირობები] |
Z ღერძი |
Გადაწყვეტა |
0.1[μ m] |
|
Მოძრავი დიაპაზონი |
200[მმ] |
||
Სიჩქარე |
Მაქს. 250[მმ/წმ] |
||
θ ღერძი |
Გადაწყვეტა |
0.000225[°] |
|
Მოძრავი დიაპაზონი |
±5[°] |
||
Ჩიპის გამაგრება |
Ვაკუუმური შთანთქმის მეთოდი |
||
Რეცეპტის შეცვლა |
ATC (ავტომატური ხელსაწყოს გამშვები) მეთოდი. გასამენიჯებელი ფიქსატორების მაქსიმალური რაოდენობა: 20x20[მმ] — 6 ტიპი, *2 ტიპი, როდესაც 30x30[მმ] (ოპციურად) გამოიყენება |
||
Დიაპაზონის მითითება |
Დატვირთვის დაბალი დიაპაზონი: 0.049 დან 4.9[N] (5 დან 500[g]) Დატვირთვის მაღალი დიაპაზონი: 4.9 დან 1000[N] (0.5 დან 102[kg]) * ორივე დიაპაზონის მოქმედების შესაძლებლობა დატვირთვის კონტროლში შეუძლებელია. * ულტრაბგერითი როჟი გამოიყენება მხოლოდ მაღალი დატვირთვის ზონაში |
Წნევის ზუსტება |
Დატვირთვის დაბალი დიაპაზონი: ±0.0098[N] (1[g]) Დატვირთვის მაღალი დიაპაზონი: ±5[%] (3σ) * ზუსტი მონაცემები მოცემულია ოთახის ტემპერატურის ფაქტიური დატვირთვისთვის. |
Გათბობის მეთოდი |
Პულსური თბომეთოდი (კერამიკული გამათბობელი) |
Დაყოვნეთ ტემპერატურა |
RT~450[°C] (1[°C] ნაბიჯი) |
Ტემპერატურის მატების სიჩქარე |
Მაქს. 80[°C/წმ] (კერამიკული ფიქსატორის გარეშე) |
Ტემპერატურის განაწილება |
+5[°C] (30x30[მმ] ზონა) |
Გაგრილების ფუნქცია |
Თბოსადენით, სამუშაოს გაგრილების ფუნქცია |
Რხევის სიხშირე |
40[კჰც] |
Რხევის დიაპაზონი |
Დაახლოებით 0.3 დან 2.6[µm]-მდე |
Გათბობის მეთოდი |
Მუდმივი სითბოს მეთოდი (ულტრაბგერითი რქა) |
Დაყოვნეთ ტემპერატურა |
RT~250[°C] (1[°C] ნაბიჯი) |
Იнструმენტის ზომა |
M6 ინსტრუმენტის შეცვლის ტიპები (დასპიკლების ტიპი) *უნდა შეიცვალოს მყარ ტიპად 7x7[მმ]-ზე მეტი ჩიპის ზომისთვის. |
Სხვა |
Საჭიროა იმპულსური სითბოს თავით შეცვლა. |
Მონტაჟის არეალი |
50×50 [მმ] |
Გათბობის მეთოდი |
Ceramic Heater |
Დაყოვნეთ ტემპერატურა |
RT~450[°C] (1[°C] ნაბიჯი) |
Ტემპერატურის განაწილება |
+5[°C] |
Ტემპერატურის მატების სიჩქარე |
Მაქს. 70 [°C/წმ] (კერამიკული ფიქსატორის გარეშე) |
Გაგრილების ფუნქცია |
Ხელმისაწვდომი |
Ნაგულის დაჭერა |
Ვაკუუმური შთანთქმის მეთოდი |
Რეცეპტის შეცვლა |
Ფიქსატორის შეცვლა |
XY სტეიჯი |
Მუდმივი გამათბობელი |
||
Სტეიჯი ძირითადი ბონდინგისთვის |
Მონტაჟის არეალი |
200×200 [მმ] (48 [დიუიმიანი] არეალი) |
|
Გათბობის მეთოდი |
Მუდმივი თბო |
||
Დაყოვნეთ ტემპერატურა |
200×200 [მმ]: ოთ.ტ. დან 250[°C]-მდე (1[°C] ბიჯი) |
||
Ტემპერატურის განაწილება |
±5% (200×200 [mm]) |
||
Ნაგულის დაჭერა |
Ვაკუუმური შთანთქმის მეთოდი |
||
Რეცეპტის შეცვლა |
Ფიქსატორის შეცვლა |
||



Საავტორო უფლება © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. ყველა უფლება დაცულია