Ფირფიტების ჯგუფური მოშორებლი, მილის ტიპის ფოტორეზისტის მოშორებლი / ფირფიტის აშინგის სისტემა

Ნაკრების ფოტორეზისტის მოშორების აღჭურვილობა რადიოტალღური სიხშირით

Აღჭურვილობის გარეგნობა უწყვეტად არის განახლებისა და რეგულირების პროცესში; ფაქტობრივად მიწოდებული პროდუქტი არის გადაწყვეტილების საბოლოო საშუალება.

MDST-3300 არის ნაკრების პროცესის მქონე, ვეფერის კასეტებზე დაფუძნებული მიკროტალღური აშინგის სისტემა, რომელიც შეიძლება გამოყენებულ იქნას ფოტორეზისტის მოშორების, დესკამინგის, ვეფერის გასუფთავების, სითხის პროცესის შემდგომი ნარჩენების მოშორების, ვეფერის ზედაპირის ნარჩენების გასუფთავების და განვითარების შემდგომი ნარჩენების მოშორების მიზნით. თავისუფალად მოძრავი ელექტრონები ქმნიან პლაზმას, რომელიც მოქმედებს ვეფერის ზედაპირზე მოთავსებულ ფოტორეზისტზე, რომელიც მდებარეობს კვარცის კასეტაში კომორის შიგნით. უწყვეტი, მაღალი სიმჭიდროვის პლაზმა იქმნება 13,56 მგჰც მიკროტალღური ენერგიის გამოყენებით ვაკუუმური კომორის კედლებზე. კომორა შეიძლება მოათავსოს 4–8 ინჩიანი ვეფერების კვარცის კასეტები.

MDST-2300 უზრუნველყოფს სწრაფ და ზიანის გარეშე პლაზმურ გასუფთავებას. სისტემა ამ გასუფთავების ეფექტს აღწევს აქტივირებული რადიკალებსა და ვეფერის ზედაპირზე მოთავსებული ფოტორეზისტს შორის მიმდინარე ქიმიური რეაქციების მეშვეობით.

Მუშაობის პრინციპი:

Პროცესულ აირზე ელექტრული ველი იძლევა, რათა იგი პლაზმაში იონიზდეს. პლაზმის „აქტიურ“ კომპონენტებს შორის შედიან იონები, ელექტრონები, ატომები, თავისუფალი რადიკალები, გაღებული მდგომარეობის სახეობები (მეტასტაბილური მდგომარეობები) და ფოტონები. პლაზმის მუშაობა ამ აქტიური კომპონენტების თვისებების გამოყენებას ითხოვს ფიზიკური და ქიმიური რეაქციების — მაგალითად, ოქსიდაციის, აღდგენის, ბმების გატეხვის, კრებადობის და პოლიმერიზაციის — გამოწვევის მიზნით, რაც ნიმუშის ზედაპირის მახასიათებლების შეცვლას უზრუნველყოფს. ეს პროცესი ზედაპირის მუშაობის პარამეტრებს აოპტიმიზაციას ახდენს და სუფთავების, ზედაპირის მოდიფიკაციის და ნარჩენების მოშორების მიზნებს ასრულებს.

Უპირატესობები:

1. მოქნილი პროდუქტის დაჭერის მოწყობილობები ეფიკურად აძლევენ ადგილს არეგულარული ფორმის ვეფერებს;

2. დაბალტემპერატურიანი პლაზმა თავიდან აიცილებს ვეფერებზე თერმულ ზიანს;

3. ელექტრულად ნეიტრალური პლაზმა თავიდან აიცილებს ვეფერებზე ელექტრულ ზიანს;

4. მაღალეფექტურობის და ერთგვაროვანი პლაზმის გამოყოფა უზრუნველყოფს ფოტორეზისტის ეფექტურ მოშორებას;

5. პლაზმის მაღალი იონიზაციისა და დისოციაციის ხარისხი;

6. შუხის ეტჩინგის პროცესი აცილებს დაბინძურების წყაროებს;

7. წნევისა და ტემპერატურის რეგულირება ბატერფლაის ვალვის მეშვეობით;

8. შეუძლია პლაზმის შენარჩუნება მაღალი აირის წნევის პირობებში;

9. მაღალი ძაბვის ელექტრომომარაგების წყარო გამოყოფილია იონების გენერატორისგან;

10. თავსებადია მიკროტალღური კავშირისა და მაგნიტური წრედის კონფიგურაციებთან.

Პროდუქტის სტრუქტურა:

Პლაზმის ზედაპირის დამუშავების სისტემა ძირითადად შედგება სამი ნაკრებისგან: ვაკუუმური კორპუსი და ვაკუუმური სისტემა, რადიოსიხშირის გენერატორი და კონტროლის სისტემა.

(A) ვაკუუმური კორპუსი და ვაკუუმური გენერაციის სისტემა:

Ვაკუუმური კორპუსი მყარად არის დამაგრებული კაბინეტის საყრდენ საფარზე, ორივე მხრიდან ამოღებადი კარებით, რაც შიგა ვაკუუმური კორპუსისა და ვაკუუმური სისტემის მოვლას განსაკუთრებით მოსახერხებელს ხდის. ვაკუუმური გენერაციის სისტემა ძირითადად შედგება ტალღოვანი მილებისგან, KF შეერთებებისგან და ვაკუუმური პომპებისგან, ხოლო მისი ძირეული კომპონენტი არის ვაკუუმური პომპა (ვაკუუმური პომპების ჯგუფი).

(B) რადიოსიხშირის გენერატორი:

Რადიოსიხშირის გენერატორი აღჭურვილია 1000 ვტ-იანი ენერგიის მომარაგებით რადიოსიხშირის გენერირებისთვის, ხოლო მიკროტალღური ენერგია მიეწოდება პლაზმის კვარცის კორპუსში შესატყრებლის მეშვეობით, რათა პლაზმა ჩამოყალიბდეს.

(C) კონტროლის სისტემა:

Ეს სისტემა იყენებს ინდუსტრიულ ეკრანებს, PC ინდუსტრიულ მართვის სისტემებს და ჩინურ ინტერფეისის დიზაინს. ტექნიკის პროცესის კონტროლი: ვაკუუმის ტუმბოს დაწყება -> ბაფლის სარქველი იხსნება -> დადგენილი ვაკუუმის ხარისხი მიღწეულია -> პროცესის გაზი შედის -> RF წყარო წარმოქმნის RF -> RF ენერგია შეჰყავთ კამერაში -> პ მოწყობილობა ხელმისაწვდომია ორ რეჟიმში: ავტომატური და ხელით.

Პროდუქტის სპეციფიკაცია: