Teknologi reactive ion etching yang terkopel induktif adalah jenis RIE. Teknologi ini mencapai pemisahan antara densitas ion plasma dan energi ion dengan mengendalikan fluks ion secara independen, sehingga meningkatkan akurasi dan fleksibilitas proses etching.
Produk seri reactive ion etching (ICP-RIE) berdensitas tinggi didasarkan pada teknologi plasma kopling induktif dan ditujukan untuk kebutuhan etsa halus serta etsa semikonduktor majemuk. Produk ini memiliki stabilitas proses dan pengulangan proses yang sangat baik, serta cocok untuk aplikasi pada semikonduktor silikon, optoelektronik, informasi dan komunikasi, perangkat daya, serta perangkat microwave.
Bahan yang Berlaku:
1. Bahan berbasis silikon: silikon (Si), silikon dioksida (SiO2), silikon nitrida (SiNx), silikon karbida (SiC)...
2. Bahan III-V: indium fosfida (InP), gallium arsenide (GaAs), gallium nitrida (GaN)...
3. Bahan II-VI: kadmium telurida (CdTe)...
4. Bahan magnetik/bahan paduan
5. Bahan logam: aluminium (Al), emas (Au), tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta)...
6. Bahan organik: photoresist (PR), polimer organik (PMMA/HDMS), lapisan tipis organik...
7. Bahan ferroelektrik/fotoelektrik: litium niobat (LiNbO3)...
8. Bahan dielektrik: safir (Al2O3), kuarsa...
Aplikasi terkait:
1. Pengukiran kisi: digunakan untuk tampilan 3D, perangkat mikro-optik, optoelektronik, dll.;
2. Pengukiran semikonduktor majemuk: digunakan untuk LED, laser, komunikasi optik, dll.;
3. Substrat safir berpola (PSS);
4. Pengukiran litium niobat (LiNO3): detektor, optoelektronik;
Item |
MD150S-ICP |
MD200S-ICP |
MD150CS-ICP |
MD200CS-ICP |
MD300C-ICP |
||||
Ukuran Produk |
≤6 inci |
≤8 inci |
≤6 inci |
≤8 inci |
Kustom≥12inci |
||||
Sumber daya SRF |
0~1000W/2000W/3000W/5000W Adjustable, otomatis cocok\,13.56MHz/27MHz |
||||||||
Sumber daya BRF |
0~300W/0~500W/0~1000W Adjustable, otomatis cocok,2MHz/13.56MHz |
||||||||
Pompa Molekuler |
Tidak korosif : 600 /1300 (L/s)/Kustom |
Anti-korosi:600 /1300 (L./s)/Kustom |
600/1300(L/s) /Kustom |
||||||
Foreline pompa |
Pompa mekanis \/ pompa kering |
Pompa kering anti korosi |
Pompa mekanis \/ pompa kering |
||||||
Pompa pra-evakuasi |
Pompa mekanis \/ pompa kering |
Pompa mekanis \/ pompa kering |
|||||||
Tekanan proses |
Tekanan tidak terkendali\/0-0.1\/1\/10Torr tekanan terkendali |
||||||||
Jenis gas |
H2\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/SF6\/CF4\/ CHF3\/C4F8\/NF3\/NH3\/C2F6\/Kustom (Hingga 12 saluran, tanpa gas korosif & toksik) |
H2\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/SF6\/CF4\/CHF3\/ C4F8\/NF3\/NH3\/C2F6\/Cl2\/BCl3\/HBr\/ Kustom (Hingga 12 saluran) |
|||||||
Rentang gas |
0~5sccm\/50sccm\/100sccm\/200sccm\/300sccm\/500sccm\/1000sccm\/Kustom |
||||||||
LoadLock |
Ya/Tidak |
Ya |
|||||||
Kontrol tem sampel |
10°C~Ruangan/~ -30°C~150°C ~/Kustom |
-30°C~200°C~/Kustom |
|||||||
Pendinginan helium belakang |
Ya/Tidak |
Ya |
|||||||
Lapisan rongga proses |
Ya/Tidak |
Ya |
|||||||
Kontrol tem dinding rongga |
Tidak/Ruangan ~-60/120°C |
Ruangan~60/120°C |
|||||||
Sistem Kontrol |
Otomatis/kustom |
||||||||
Bahan pengikisan |
Berdasarkan silikon: Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Bahan organik: PR/Organik lapisan...... |
Berdasarkan silikon: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Bahan magnetik/ bahan paduan Bahan logam: Ni/Cr/Al/Cu/Au... Bahan organik: PR/Film organik...... Etching dalam silikon |
Hak Cipta © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. All Rights Reserved