Cắt bằng tia laser vô hình, như một giải pháp cho việc cắt wafer bằng laser, hiệu quả tránh được các vấn đề của việc cắt bằng bánh xe mài. Cắt bằng tia laser vô hình đạt được bằng cách định hình một xung đơn của tia laser xung qua phương tiện quang học, cho phép nó đi qua bề mặt vật liệu và tập trung bên trong vật liệu. Trong khu vực tiêu điểm, mật độ năng lượng cao, tạo ra hiệu ứng hấp thụ phi tuyến đa photon, làm thay đổi vật liệu để tạo thành các vết nứt. Mỗi xung laser tác động cách đều, tạo ra tổn thương đều để hình thành một lớp đã được sửa đổi bên trong vật liệu. Ở vị trí của lớp đã được sửa đổi, các liên kết phân tử của vật liệu bị phá vỡ, và các kết nối của vật liệu trở nên giòn và dễ tách rời. Sau khi cắt, sản phẩm được tách hoàn toàn bằng cách kéo căng phim mang, tạo ra các khe hở giữa các chip. Phương pháp xử lý này tránh được thiệt hại do tiếp xúc cơ học trực tiếp và rửa bằng nước tinh khiết. Hiện nay, công nghệ cắt vô hình bằng laser có thể được áp dụng cho sapphire/kính/silicon và các wafer bán dẫn hợp chất khác nhau.