Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Prima pagină
Despre Noi
Echipament MH
Soluție
Utilizatori Din Străinătate
Video
Contactați-Ne
Acasă > PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)
  • Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)

Sistem de gravare cu plasmă cu cuplaj inductiv (ICP)

Aplicații conexe:

1. Gravare prin etanșare: utilizată pentru afișaj 3D, dispozitive micro-optice, optoelectronică etc.;

2. Gravare semiconductoră compusă: utilizată pentru LED-uri, lasere, comunicații optice etc.;

3. Substrat de safir modelat (PSS);

4. Gravare din niobat de litiu (LiNO3): detectoare, optoelectronică;

Sistem de etalaj prin plasmă cu cuplare inductivă (icp)

Tehnologia de gravare ionică reactivă cuplată inductiv este un tip de RIE. Această tehnologie realizează decuplarea densității ionilor din plasmă și a energiei ionilor prin controlul independent al fluxului de ioni, astfel îmbunătățind precizia și flexibilitatea procesului de gravare.

Produsele din seria de înaltă densitate cu plasmă cuplată inductiv și etalare ionică reactivă (ICP-RIE) se bazează pe tehnologia cu plasmă cuplată inductiv și sunt concepute pentru nevoile de etalare fină și etalare a semiconductorilor compuși. Acestea au o stabilitate excelentă a procesului și repetabilitatea procesului, fiind potrivite pentru aplicații în semiconductori de siliciu, optoelectronică, informatică și comunicații, dispozitive de putere și dispozitive microwave.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Materiale aplicabile:

1. Materiale pe bază de siliciu: siliciu (Si), dioxid de siliciu (SiO2), nitridă de siliciu (SiNx), carbide de siliciu (SiC)...

2. Materiale III-V: fosfură de indiu (InP), arseniură de galiu (GaAs), nitridă de galiu (GaN)...

3. Materiale II-VI: teluridă de cadmiu (CdTe)...

4. Materiale magnetice/materiale ale aliajelor

5. Materiale metalice: aluminiu (Al), aur (Au), wolfram (W), titan (Ti), tantal (Ta)...

6. Materiale organice: rezistență foto (PR), polimer organic (PMMA/HDMS), film subțire organic...

7. Materiale ferroelectrice/fotoelectrice: niobat de litiu (LiNbO3)...

8. Materiale dielectrice: safir (Al2O3), cuarț...

Aplicații conexe:

1. Gravare prin etanșare: utilizată pentru afișaj 3D, dispozitive micro-optice, optoelectronică etc.;

2. Gravare semiconductoră compusă: utilizată pentru LED-uri, lasere, comunicații optice etc.;

3. Substrat de safir modelat (PSS);

4. Gravare din niobat de litiu (LiNO3): detectoare, optoelectronică;

Rezultatul procesului

Etalonaj quartz / siliciu / grating

Folosind masca BR pentru a etala materialele de quartz sau siliciu, modelul de matrice de etalon are cea mai subtilă linie până la 300nm și unghiul vertical al modelului este aproape > 89°, care poate fi aplicat în afișaj 3D, dispozitive optice microscopice, comunicare optoelectrică, etc.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Etalonaj compus / semiconductor

Controlul precis al temperaturii suprafeței eșantionului poate controla bine morfologia de etalaj a materialelor bazate pe GaN, GaAs, InP și metale. Este potrivit pentru dispozitive LED albastru, lasure, comunicații optice și alte aplicații.
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Etj al materialului bazat pe siliciu

este potrivit pentru etalajul materialelor bazate pe siliciu, cum ar fi Si, SiO2 și SiNx. Poate realiza etalajul liniei de siliciu peste 50nm și etalajul profund de găuri de siliciu sub 100um
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory
Specificație
Configurarea proiectului și diagrama structurii mașinii
Articol
MD150S-ICP
MD200S-ICP
MD150CS-ICP
MD200CS-ICP
MD300C-ICP
Dimensiunea produsului
≤6 inches
≤8 inches
≤6 inches
≤8 inches
Personalizat ≥12 inchi
Sursa de putere SRF
0~1000W/2000W/3000W/5000W Ajustabil, potrivire automată\, 13.56MHz/27MHz
Sursa de putere BRF
0~300W/0~500W/0~1000W Ajustabil, potrivire automată, 2MHz/13.56MHz
Pumpă Moleculare
Neagresiv : 600 /1300 (L/s) /Personalizat
Antiacoroziune: 600 /1300 (L/s) /Personalizat
600/1300(L/s) /Personalizat
Pumpă Foreline
Pumpă mecanică\/pumpă secă
Pumpă secă anti-coroziune
Pumpă mecanică\/pumpă secă
Pumpă pre-pompare
Pumpă mecanică\/pumpă secă
Pumpă mecanică\/pumpă secă
Presiunea procesului
Presiune necontrolată\/0-0.1\/1\/10Torr presiune controlată
Tip de gaz
H2\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/SF6\/CF4\/
CHF3\/C4F8\/NF3\/NH3\/C2F6\/Personalizat
(Până la 12 canale, fără gaze corozive și toxice)
H2\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/SF6\/CF4\/CHF3\/ C4F8\/NF3\/NH3\/C2F6\/Cl2\/BCl3\/HBr\/
Personalizat(Până la 12 canale)
Gama de gaze
0~5sccm\/50sccm\/100sccm\/200sccm\/300sccm\/500sccm\/1000sccm\/Personalizat
LoadLock
Da\/Nu
Da
Control temă eșantion
10°C~Temă cameră/-30°C~150°C/Personalizat
-30°C~200°C/Personalizat
Răcire cu helium din spate
Da\/Nu
Da
Tichetare cavitate proces
Da\/Nu
Da
Control temă perete cavitate
Nu/Temă cameră-60/120°C
Temă cameră~60/120°C
Sistem de Control
Automat/personalizat
Material de etalare
Bază siliciu: Si/SiO2/
SiNx/ SiC.....
Materiale organice: PR/Organic
film......
Bază siliciu: Si/SiO2/SiNx/SiC
III-V: InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI: CdTe......
Material magnetic / material alianță
Materiale metalice: Ni⁄Cr⁄Al⁄Cu⁄Au...
Materiale organice: PR⁄Film organic......
Uscatul profund în siliciu
Ambalare și livrare
Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Întrebări frecvente

1. Despre preț:

Toate preturile noastre sunt competitive și negociabile. Prețul variază în funcție de configurare și complexitatea personalizării dispozitivului dvs.

 

2. Despre eșantion:

Putem oferi servicii de producție a eșantioanelor pentru dvs., dar trebuie să plătiți unele taxe.

 

3. Despre plată:

După ce planul este confirmat, trebuie să ne plătiți un avans mai întâi, iar fabrica va începe să pregătească mărfuri. După ce echipamentul este gata și plătiți soldul, vom expedia produsele.

 

4. Despre Livrare:

După finalizarea fabricării echipamentelor, vă vom trimite videoclipul de acceptare, iar puteți veni și să inspectați echipamentul pe loc.

 

5. Instalare și Depanare:

După ce echipamentul ajunge în fabrica dvs., putem să trimitem ingineri să instaleze și să depisteze echipamentul. Vom oferi o cotare separată pentru această taxa de serviciu.

 

6. Despre garanție:

Echipamentul nostru are o perioadă de garanție de 12 luni. După perioada de garanție, dacă orice părți sunt avariate și trebuie înlocuite, vom cobra doar prețul costului.

 

7. Service după vânzare:

Toate mașinile au o perioadă de garanție de peste un an. Inginerii noștri tehnici sunt mereu online pentru a vă oferi servicii de instalare, punere în funcțiune și întreținere a echipamentelor. Putem oferi servicii de instalare și punere în funcțiune la fața locului pentru echipamente speciale și mari.

Interogare

Interogare Email Whatsapp WeChat
Superior
×

Luați legătura cu noi