ICP Dry Plasma Photoresist Stripper , China ICP Dry Plasma Photoresist Stripper Manufacturers, Suppliers, Factory

ICP Dry Plasma Photoresist Stripper

Stripperul de fotorezistență cu plasmă uscată ICP este utilizat în principal pentru îndepărtarea polimerilor, arderea (ashing), eliminarea reziduurilor superficiale (descumming), îndepărtarea fotorezistenței după implantarea ionilor și curățarea reziduurilor de pe suprafață. Camera MDST3100 acceptă eșantioane de 4–8 inch, cu procesare individuală a fiecărui wafer, iar camera MDST3200 acceptă eșantioane de 4–8 inch, cu o capacitate de doi wafere pe lot.

Aspectul echipamentului este supus unor actualizări și ajustări continue; produsul efectiv livrat face dovada finală.

头图4.jpg

工艺流程.png(5c78296a74).jpg 去除光刻胶去胶机 (5)(130d03181e).jpg

Spalare

Eliminarea polimerului

DESCUM

Curățarea uscată a stratului de mască dură

Îndepărtarea rezistă fotochimică după implantarea ionilor

Eliminarea reziduilor de pe suprafață

Îndepărtarea rezistă fotochimică în procesul BAW/SAW

Curățarea uscată a stratului de film grafic antireflex

Curățare a suprafeței după etalaj

Avantaje:

Grad ridicat de ionizare și descompunere a plasmei

După tratamentul cu plasmă, reproductibilitatea este ridicată

Gravare uscată, fără sursă de poluare

Controlul presiunii și temperaturii prin supape fluture

Poate menține plasma la presiune înaltă

Separarea sursei de înaltă tensiune și a generatorului de ioni

Interfața cu microunde și circuitul magnetic sunt compatibile

Poate îndeplini cerințele clienților

Temperatură scăzută în timpul procesării

Viteză ridicată de răspuns și timp scurt de răspuns

Test data 2.jpg Test data 1.jpg Test data 3.jpg

Model		MDST3100	MDST3200
Sursa de plasmă		Rf	Rf
Putere	ICP	1000W	1000W
	BIAS	NA	NA
Domeniu de aplicare		4–8 inch	4–8 inch
Numărul de suporturi de siliciu (wafers) procesate într-o singură operațiune		1	2
Dimensiuni totale		1300×1190×1847 mm	1300x1650x1850 mm
Controlul sistemului		Sistem de Control Industrial
grad de automatizare		Automată