Induktivt koblet plasmaetsingsystem (ICP) , China Induktivt koblet plasmaetsingsystem (ICP) Manufacturers, Suppliers, Factory

Induktiv kobling plasma etching (icp) system

Induktivt koblet reaktiv ionetsing-teknologi er en type RIE. Denne teknologien oppnår avkobling av plasmaiontetthet og ionenergi ved å uavhengig kontrollere ionestrøm, dermed forbedres etsingsprosessen med høyere presisjon og fleksibilitet.

Produktserien for høy tetthet induktivt koblet reaktiv ioniseringsetching (ICP-RIE) er basert på induktivt koblet plasmateknologi og er rettet mot behovet for fin etching og halvlederetching. Den har utmerket prosessstabilitet og prosessreproduserbarhet, og er egnet for anvendelser innen silisiumhalvledere, optoelektronikk, informasjon og kommunikasjon, kraftenheter og mikrobølgeenheter.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment details

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment supplier

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment factory

Tilpassede materialer:

1. Silisiumbaserte materialer: silisium (Si), silisiumdioxid (SiO2), silisiumnitrid (SiNx), silisiumkarbid (SiC)...

2. III-V materialer: indiumfosfid (InP), galliumarsenid (GaAs), galliumnitrid (GaN)...

3. II-VI materialer: kadmiettellurid (CdTe)...

4. Magnetiske materialer/legematerialer

5. Metallmaterialer: aluminium (Al), gull (Au), wolfram (W), titan (Ti), tantal (Ta)...

6. Organiske materialer: fotoreseistoff (PR), organisk polymer (PMMA/HDMS), organiske tynne filmer...

7. Ferroelektriske/fotoelektriske materialer: litiumniobat (LiNbO3)...

8. Dielektriske materialer: safir (Al2O3), kvarts...

Relaterte applikasjoner:

1. Rasteretsing: brukes til 3D-visning, mikrooptiske enheter, optoelektronikk osv.;

2. Etsing av sammensatte halvledere: brukes til LED, laser, optisk kommunikasjon osv.;

3. Mønsterbevokst safirsubstrat (PSS);

4. Etsing av litiumniobat (LiNO3): detektorer, optoelektronikk;

Prosessresultat

Kvarts / silisium / gitter etching

Ved bruk av BR-mask for å etch kvarts- eller silisiummaterialer, har gitterarraymønsteret den tyngste linjen opp til 300nm og sidelandsstigningen på mønsteret er nær > 89° , som kan brukes til 3D-skjerm, mikro optiske enheter, optoelektronisk kommunikasjon, osv

Sammensatt / halvleder etching

Nøyaktig kontroll av temperaturen på prøvetypets overflate kan godt kontrollere etsingmorfologien av GaN-baserte, GaAs, InP og metallmateriale. Det er egnet for blå LED-enheter, lasarar, optisk kommunikasjon og andre applikasjonar.

Inductive Coupling Plasma Etching System ( ICP ) Semiconductor equipment manufacture

Silisiumbasert materiale avtrekking

det er egnet for å etsja silisiumbaserte materiale som Si, SiO2 og SiNx. Det kan realisera silisium linje etsing over 50nm og silisium djup hole etsing under 100um

Spesifikasjon

Prosjektkonfigurasjon og maskinstruktdiagram

Punkt	MD150S-ICP	MD200S-ICP	MD150CS-ICP	MD200CS-ICP	MD300C-ICP
Produktstørrelse	≤6 tommer	≤8 tommer	≤6 tommer	≤8 tommer	Tilpasset≥12tommer
SRF Strømkilde	0~1000W/2000W/3000W/5000W Justerbart, automatisk matching\,13.56MHz/27MHz
BRF Strømkilde	0~300W/0~500W/0~1000W Justerbart, automatisk matching,2MHz/13.56MHz
Molekylpumpe	Ikke korrosiv: 600/1300 (L/s)/Tilpasset			Korrosjonsmotstandende: 600/1300 (L/s)/Tilpasset		600/1300(L/s)/Tilpasset
Forlinepumpe	Mekanisk pump / tørrpump			Antikorrosjons tørrpump		Mekanisk pump / tørrpump
Forkjølingspump	Mekanisk pump / tørrpump			Mekanisk pump / tørrpump
Prosesstrykk	Ukontrollert trykk/0-0.1/1/10Torr kontrollert trykk
Gastype	H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Tilpasset (Opp til 12 kanaler, ingen korrosive & giftige gasser)			H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Tilpasset (Opp til 12 kanaler)
Gasspektrum	0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Tilpasset
Lastelås	Ja/Nei			Ja
Prøve temperaturkontroll	10°C~Romtemperatur/-30°C~150°C /Tilpasset			-30°C~200°C/Tilpasset
Bakside heliumkjøling	Ja/Nei			Ja
Prosesshul lining	Ja/Nei			Ja
Hullvegg temperaturkontroll	Nei/Romtemperatur-60/120°C			Romtemperatur~60/120°C
Kontrollsystem	Automatisk/tilpasset
Graveringsmateriale	Silisium-basert: Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Organiske materialer: PR/Organisk film......			Silisium-basert: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Magnetisk materiale / alloy materiale Metallmaterialer: Ni/Kr/Al/Cu/Au... Organiske materialer: PR/organisk film...... Dypt etching av silisium

Pakking & Levering

Ofte stilte spørsmål

1. Om prisen:

Alle våre priser er konkurransedyktige og forhandlingsmessige. Prisen varierer avhengig av konfigurasjonen og tilpassingskompleksiteten på enheten din.

2. Om eksempel:

Vi kan levere eksempelproduksjonservices for deg, men du må betale noen gebyrer.

3. Om betaling:

Etter at planen er bekreftet, må du først betale en nedbetaling, og fabrikken vil begynne å forberede varene. Når utstyret er klart og du har betalt resten, vil vi sende det.

4. Om levering:

Etter at produksjonen av utstyr er ferdig, vil vi sende deg akseptansekvideoen, og du kan også komme til stedet for å inspisere utstyret.

5. Installasjon og feilsøking:

Etter at utstyret har ankommet fabrikkene dine, kan vi sende ingeniører for å installere og调试utstyret. Vi vil gi deg en separat tilbud for denne tjenestekostnaden.

6. Om garanti:

Vårt utstyr har en garanti på 12 måneder. Etter garantiavgangen, hvis noen deler blir skadet og må byttes ut, vil vi bare beregne kostprisen.

7. Etter salgs service:

Alle maskiner har en garantiperiode på over ett år. Våre tekniske ingeniører er alltid tilgjengelige for å gi deg installasjon, oppstart og vedlikeholdstjenester for utstyr. Vi kan tilby montering og oppstartstjenester på stedet for spesielle og store utstyr.

Hjem

Om oss

MH Utstyr

Løsning

Utlandbrukere

Video

Kontakt Oss