Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Startpagina
Over ons
MH Uitrusting
Casevideo
Oplossing
Overzeese Gebruikers
Neem contact met ons op
Startpagina> PVD CVD ALD RIE ICP EBEAM
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)
  • Reactive Ion Etching-systeem (RIE)

Reactive Ion Etching-systeem (RIE)

Toepassingen:

1. Etcheren van silicium-gebaseerde materialen, nano-imprint patronen, array patronen en lens patronen;
2. Etcheren bij kamertemperatuur van indiumfosfide (InP), gepatrongeerd etcheren van InP-gebaseerde apparaten in optische communicatie, inclusief waveguide structuren, resonantiekamerstructuren en richelstructuren;
3. Etching van SiC materialen, geschikt voor microwegovoorchten, krachtovoorchten, enz.;
4. Fysiek spatter-etchen wordt toegepast op bepaalde metalen, zoals nikkel (Ni), chroom (Cr), keramieken en andere materialen die moeilijk chemisch te etchen zijn, en er wordt patroon-etchen van materialen bereikt door fysieke bombardementen;
5. Etching van organische materialen wordt toegepast op het etchen, reinigen en verwijderen van organische materialen zoals fotorezyst (Photo Resist), PMMA, HDMS, Polymer;
6. Laag-verwijderingsetching voor chipfoutanalyse (Failure Analysis-FA);
7. Etching van tweedimensionale materialen: W, Mo tweedimensionale materialen, graphene;
Productomschrijving

Reactief ion etchen (RIE)

Reactive ion etching (RIE) kan worden gebruikt om micro-nano structuren voor te bereiden en is een van de technologieën in het proces van halvgeleiderproductie. Tijdens het RIE-etchproces vormen verschillende actieve deeltjes in het plasma met het oppervlak van het materiaal vluchtige producten. Deze producten worden van het oppervlak van het materiaal verwijderd, waardoor uiteindelijk anisotrope microstructuur-etching van het oppervlak van het materiaal wordt bereikt. De serie reactieve ion etchers (RIE) zijn gebaseerd op vlakplaat-capacitief gekoppelde plasma-technologie en zijn geschikt voor gepatenteerde etching van siliciummaterialen zoals monocristallijnen silicium, polycrystallijnen silicium, siliciumnitrid (SiNy), siliciumoxide (SiO), kwarts (Quartz) en silicon carbide (SiC); kunnen worden gebruikt voor patroonvorming en materiaal-de-layere etching van organische materialen zoals fotoresist (PR), PMMAHDMS en andere materialen; kunnen worden gebruikt voor fysieke etching van metaalmaterialen zoals nikkel (Ni), chroom (Cr) en keramische materialen; kunnen worden gebruikt voor ruimtetemperatuur-indiumfosfide (InP) materialetching. Voor sommige etchprocessen met hogere eisen kan ook onze ICP RIE etching worden gebruikt.

Hoofdconfiguratie:

1. Steun voor monstersgrootte: 4, 8, 12 inch, compatibel met verschillende kleine monsters, aangepaste oplossingen ondersteund;
2. RF-plasma vermogen bereik: 300/500/1000 W optioneel;
3. Moleculaire pomp: 620/1300 //s optioneel, optionele corrosiebestendige pompset;
4. Voorpomp: mechanische oliepomp/droge pomp optioneel;
5. Drukcontrole: 0 ~1 Torr optioneel; configuratie zonder drukcontrolemodus kan ook worden geselecteerd,
6. Procesgas: tot 9 procesgassen kunnen tegelijkertijd worden geïnstalleerd; temperatuur: 10 graden ~ kamertemperatuur/-30 graden~ kamertemperatuur/aanpasbaar temperatuurbereik,
7. Achterkant heliumkoeling kan volgens de toepassing worden geconfigureerd;
8. Verwijderbare antivervuilingsscherming;
9. Load-lock optioneel;
10. Volledig automatisch een-knopbesturingssysteem;

RIE Toepasbare Materialen:

1. Siliciumgebaseerde materialen: silicium (Si), siliciumdioxide (SiO2), siliciumnitride (SiNx), siliciumcarbide (SiC)
2. III-V materialen: indiumfosfide (InP), galliumarsenide (GaAs), galliumnitride (GaN)
3. II-VI materialen: cadmiumtelluride (CdTe)
4. Magnetische materialen/leggermaterialen
5. Metal materialen: aluminium (AI), goud (Au), wolfram (W), titanium (Ti), tantaal (Ta)
6. Organische materialen: fotorezist (PR), organische polymeren (PMMA/HDMS), org

RIE Gerelateerde Toepassingen:

1. Etcheren van silicium-gebaseerde materialen, nano-imprint patronen, array patronen en lens patronen;
2. Etcheren bij kamertemperatuur van indiumfosfide (InP), gepatrongeerd etcheren van InP-gebaseerde apparaten in optische communicatie, inclusief waveguide structuren, resonantiekamerstructuren en richelstructuren;
3. Etching van SiC materialen, geschikt voor microwegovoorchten, krachtovoorchten, enz.;
4. Fysiek spatter-etchen wordt toegepast op bepaalde metalen, zoals nikkel (Ni), chroom (Cr), keramieken en andere materialen die moeilijk chemisch te etchen zijn, en er wordt patroon-etchen van materialen bereikt door fysieke bombardementen;
5. Etching van organische materialen wordt toegepast op het etchen, reinigen en verwijderen van organische materialen zoals fotorezyst (Photo Resist), PMMA, HDMS, Polymer;
6. Laag-verwijderingsetching voor chipfoutanalyse (Failure Analysis-FA);
7. Etching van tweedimensionale materialen: W, Mo tweedimensionale materialen, graphene;
Toepassingsresultaten:
Projectconfiguratie en machineschets
Item
MD150-RIE
MD200-RIE
MD200C-RIE
Productafmeting
≤6 inch
≤8 inch
≤8 inch
RF krachtbron
0-300W/500W/1000W Aanpasbaar, automatisch matchen
Moleculaire pomp
-\/620(L\/s)\/1300(L\/s)\/Custom
Antiseptisch620(L\/s)\/1300(L\/s)\/Custom
Foreline pomp
Mechanische pomp\/droge pomp
Droge pomp
Procesdruk
Ongecontroleerde druk\/0-1Torr gecontroleerde druk
Gas type
H\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/SF6\/CF4\/
CHF3\/C4F8\/NF3\/Custom
(Tot maximaal 9 kanalen, geen corrosieve & giftige gassen)
H2\/CH4\/O2\/N2\/Ar\/F6\/CF4\/ CHF3\/C4F8\/NF3\/Cl2\/BCl3\/HBr(Tot maximaal 9 kanalen)
Gasbereik
0~5sccm\/50sccm\/100sccm\/200sccm\/300sccm\/500sccm\/custom
LoadLock
Ja\/Nee
Ja
Voorbeeld temperatuur controle
10°C~Kamertemperatuur/-30°C~100°C/Aangepast
-30°C~100°C /Aangepast
Rug helium koeling
Ja\/Nee
Ja
Proces holte bekleding
Ja\/Nee
Ja
Holte wand temperatuur controle
Nee/Kamertemperatuur~60/120°C
Kamertemperatuur-60/120°C
Besturingssysteem
Automatisch/aangepast
Graveermateriaal
Silicon-gebaseerd: Si/SiO2/SiNx···
IV-IV: SiC
Magnetische materialen/alloys
Metaalmateriaal: Ni/Cr/Al/Au.....
Organisch materiaal: PR/PMMA/HDMS/Organisch
film......
Silicon-gebaseerd: Si/SiO2/SiNx......
III-V (opmerking 3): InP/GaAs/GaN......
IV-IV: SiC
II-VI (opmerking 3): CdTe......
Magnetische materialen/alloys
Metaalmateriaal: Ni/Cr/Al/Au......
Organische stof: PR/PMMA/HDMS /organische film...
Echte foto's van laboratoria en fabrieken
Verpakking & Levering
Veelgestelde vragen
1. Over Prijs:
Al onze prijzen zijn concurrerend en onderhandelbaar. De prijs verschilt afhankelijk van de configuratie en de complexiteit van de aanpassingen van uw apparaat.

2. Over Monster:
We kunnen u monsterproductieservices bieden, maar u dient mogelijk enige kosten te dragen.

3. Over Betaling:
Nadat het plan is bevestigd, moet u ons eerst een voorschot betalen, waarna de fabriek begint met het voorbereiden van de goederen. Nadat het apparaat klaar is en u het restantbedrag hebt betaald, zullen we het verzenden.

4. Over Levering:
Nadat de productie van het apparaat is voltooid, sturen we u de acceptatiefilm toe en kunt u ook ter plaatse komen om het apparaat te inspecteren.

5. Installatie en Afstemming:
Na aankomst van de apparatuur in uw fabriek, kunnen we technici uitsturen om de apparatuur te installeren en te testen. We zullen u een apart offerteaanbod verstrekken voor deze servicekosten.

6. Over de garantie:
Onze apparatuur heeft een garantieperiode van 12 maanden. Na de garantieperiode, als er onderdelen beschadigd raken en moeten worden vervangen, zullen we alleen de kostprijs in rekening brengen.

Inquiry

Inquiry E-mail WhatsApp WeChat
BOVEN
×

Neem contact op