Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.
EN
Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.
Offerte aanvragen

Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Startpagina
Over Ons
MH Uitrusting
Oplossing
Overzeese Gebruikers
Video
Contacteer Ons
Start> Wafer Grinder
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces
  • Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces

Hoogprecisie Chemical Mechanical Planarization CMP proces

Toepassing:
Planariseren van siliciumwafers, planariseren van II-V-verbindingsmaterialen, planariseren van oxide, vlakmaken van infraroodmateriaalsubstraten, planariseren van saffier-, galliumnitride- en siliciumcarbidesubstraten, planariseren van EPI-substraten, dunner maken van SOS- en SOI-wafers tot onder de 20 micrometer, hiërarchische reverse engineering of FA-toepassingen.
Vraag een gratis offerte aan

Hoge Precisie Chemisch mechanische planarisatie (CMP) apparaat

Precieze CMP-apparatuur bereikt efficiënt het verwijderen van overbodige materialen op schuine oppervlakken en wereldwijde nanoschaalplanarisatie door het synergetische effect van chemische corrosie en mechanische slijping.
Veelzijdige chemische poliervaat, specifiek ontworpen voor CMP- en coatingpoliertoepassingen die strenge geometrische nauwkeurigheid en oppervlaktekwaliteit vereisen, kan een subnanometer niveau Ra bereiken.
Dit apparaat kan precisie-polijsten op nanometer niveau uitvoeren op individuele vormen, evenals het polijsten van dunne platen met een diameter tot 8 inch. Daarnaast kan het ook worden gebruikt in niet-traditionele polijstoepassingen zoals harde substraatpolishing, Epi oppervlakte voorbereiding en chip recycling verbetering.
Om de CDP reeksmachines aan te passen aan verschillende materialen en procesvereisten, passen technici aangepaste polistemplates aan volgens gebruikerspecificaties om nauwkeurig te voldoen aan CMP procesvereisten. De afbeelding links toont het bereik van een enkele schijf met een diameter van 8 inch.
Om nauwkeurige meting en controle van schijven of apparaten die op CDP machines zijn gepolijst te waarborgen, hebben we een EPD systeem ontwikkeld, waarvan het speciaal ontworpen CDP scangrafiek programma kan draaien op laptops. Dit programma monitort en visualiseert het polijstproces, en stopt automatisch wanneer het eindpunt is bereikt.
Voorkom overdreven polijsten. CDP-scanning kan ook dienen als een beveiligingsfunctie. Als er veranderingen in een van de bewaakte procesparameters worden gedetecteerd, activeert CDP Scan een geluidsalarm om overdreven polijsten te voorkomen. Voorbeelden hiervan zijn veranderingen in de snelheid van de drager ten opzichte van de vooraf ingestelde waarde. Het EPD-systeem merkt deze situatie op, omdat het wrijfvlak tussen de pad en het gepolijste materiaal zal veranderen door eventuele veranderingen in de snelheid van de drager, wat de succesvolle planarizatie van de wafer in gevaar kan brengen. Op dit punt activeert het EPD-systeem een hoorbaar alarm voordat het de montage verwijdert van het oppervlak van de pad, of het kan worden ingesteld op automatisch afsluiten.
Het ACP-systeem kan beter worden gebruikt in een breed scala aan toepassingen, en de grafiek toont de testresultaten van het CMP-proces voor siliciumoxide, koper, siliciumnitride, aluminiumkoper, siliciumgermaan en wolfram.
De grafiek toont dat na het CMP-proces WTWNU 2,82% kan bereiken.
Toepassing
Planarizatie van siliciumwafers
II-V verbinding planarizatie
Oxide gelijkvloersing
Vlak maken van infrarood materiaal substraat
Saffier, gallium nitride en silicon carbide substraat gelijkvloersing, EPI substraat gelijkvloersing
Verdunnen van SOS en SOI-wafers tot onder de 20 micron
Hiërarchische reverse engineering of FA-toepassingen
Specificatie
Stroomvoorziening
220v 10A
Wafelgrootte
4”/100mm
6”/150mm
8”/200mm
12”/300mm
Werkende schijfdiameter
520mm, 780mm
Werkende schijfsnelheid
0-120 RPM
Houdersnelheid
0-120 RPM
Holder zwaai frequentie
0-30spm
Druk op de achterkant van de wafer
0-150psi
Druk op het middelpunt van de wafer
0-50psi
Getijde tijd
0-10 h
Voedingskanaal
≥2
Voedsnelheid
0-150ml/min
Verpakking & Levering
Veelgestelde vragen
1. Over Prijs:
Al onze prijzen zijn concurrerend en onderhandelbaar. De prijs verschilt afhankelijk van de configuratie en de complexiteit van de aanpassingen van uw apparaat.

2. Over Monster:
We kunnen u monsterproductieservices bieden, maar u dient mogelijk enige kosten te dragen.

3. Over Betaling:
Als het plan is bevestigd, moet u eerst een voorschot betalen en de fabriek begint met het voorbereiden van de goederen. Nadat het
apparaat klaar is en u het restbedrag hebt betaald, zullen we het verzenden.

4. Over Levering:
Nadat de productie van het apparaat is voltooid, sturen we u de acceptatiefilm toe en kunt u ook ter plaatse komen om het apparaat te inspecteren.

5. Installatie en Afstemming:
Na aankomst van de apparatuur in uw fabriek, kunnen we technici uitsturen om de apparatuur te installeren en te testen. We zullen u een apart offerteaanbod verstrekken voor deze servicekosten.

6. Over de garantie:
Onze apparatuur heeft een garantieperiode van 12 maanden. Na de garantieperiode, als er onderdelen beschadigd raken en moeten worden vervangen, zullen we alleen de kostprijs in rekening brengen.

Meer producten

Aanvraag

Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. Alle rechten voorbehouden

Privacybeleid

Aanvraag Email WhatsApp WeChat
Bovenkant
×

NEEM CONTACT OP