Model: MDST-3300
Wafel-ashingsysteem
Batch-wafer RF-fotolakverwijderingsapparatuur
Het uiterlijk van de apparatuur ondergaat voortdurend upgrades en aanpassingen; het daadwerkelijk geleverde product is doorslaggevend.
De MDST-3300 is een batchverwerkend, op wafercassette gebaseerd microgolf-ashing-systeem, ontworpen voor toepassingen zoals fotolakverwijdering, descumming, waferreiniging, verwijdering van residuen na natte processen, reiniging van residuen van waferoppervlakken en verwijdering van residuen na ontwikkeling. Vrij bewegende elektronen genereren plasma dat inwerkt op de fotolak op de waferoppervlakken die zich binnen de kwartscassette in de kamer bevinden. Een continu, hoogdichtheidsplasma wordt gegenereerd door 13,56 MHz-microgolfenergie toe te passen op de wanden van de vacuümkamer. De kamer biedt ruimte voor kwartscassettes voor wafers van 4 tot 8 inch.
De MDST-2300 levert snelle, schadevrije plasma-reiniging. Het systeem bereikt dit reinigingseffect via chemische reacties tussen geactiveerde radicalen en de fotolak op het waferoppervlak.



Werking:
Er wordt een elektrisch veld op het procesgas aangelegd om het te ioniseren tot plasma. De 'actieve' componenten van het plasma omvatten ionen, elektronen, atomen, vrije radicalen, soorten in aangeslagen toestand (metastabiele toestanden) en fotonen. Plasma-behandeling maakt gebruik van de eigenschappen van deze actieve componenten om fysieke en chemische reacties te veroorzaken—zoals oxidatie, reductie, bindingssplijting, crosslinking en polymerisatie—waardoor de oppervlaktekenmerken van het monster worden gewijzigd. Dit proces optimaliseert de oppervlakteprestaties en bereikt doelstellingen zoals reiniging, oppervlaktemodificatie en restverwijdering.


Voordelen:
1. Flexibele producthoudfixtures passen onregelmatig gevormde wafers aan;
2. Plasma bij lage temperatuur voorkomt thermische schade aan wafers;
3. Elektrisch neutraal plasma voorkomt elektrische schade aan wafers;
4. Hoogefficiënte, uniforme plasma-uitvoer zorgt voor effectieve fotolakverwijdering;
5. Hoge mate van plasma-ionisatie en dissociatie;
6. Droog-etchproces elimineert bronnen van verontreiniging;
7. Druk en temperatuur worden geregeld via een vlinderklep;
8. In staat om plasma te handhaven bij hoge gasdrukken;
9. Hoogspanningsvoedingsbron is gescheiden van de ionengenerator;
10. Compatibel met microgolfkoppeling en magnetische circuitconfiguraties.



Productstructuur:
Het plasmabehandelingsysteem bestaat voornamelijk uit drie onderdelen: vacuümkamer en vacuümsysteem, radiofrequentiegenerator en bedrijfsysteem.
(A) Vacuümkamer en vacuümopwekkend systeem:
De vacuümkamer is vastgemonteerd binnen het kastframe, met afneembare deuren aan beide zijden, waardoor onderhoud van de interne vacuümkamer en het vacuümsysteem uiterst gemakkelijk is. Het vacuümopwekkende systeem bestaat voornamelijk uit geplooid buiswerk, KF-koppelingen en vacuümpompen; het kernonderdeel is de vacuümpomp (vacuümpompgroep).
(B) RF-generator:
De RF-generator is uitgerust met een 1000 W-voeding om RF te genereren, en microgolfenergie wordt via een aanpassingsapparaat in de plasma-kwartzkamer gevoerd om plasma te vormen.
(C) Bedrijfsysteem:
Dit systeem maakt gebruik van industriële beeldschermen, PC-gebaseerde industriële besturingssystemen en een Chinese gebruikersinterface. Procesbesturing van de apparatuur: vacuümpomp start → afsluiterklep opent → ingestelde vacuümgraad wordt bereikt → procesgas wordt toegevoerd → RF-bron genereert RF → RF-energie wordt in de kamer gevoerd → plasma ontstaat in de kamer → werkduur tot vacuüm wordt verbroken → werk is voltooid. De apparatuur is beschikbaar in twee modi: automatisch en handmatig.



Product Specificaties:
Vacuümplasma-hoofdeenheid | ||
Afmetingen van de apparatuur |
Lengte 1000 mm × Diepte 850 mm × Hoogte 1700 mm |
|
Vermogenseisen |
AC 380 V, 50/60 Hz, 5-draads, 40 A |
|
Specificaties Plasma Generator | ||
|
RF-voeding
|
Vermogen |
0~1000W |
Frequentie |
13,56 MHz |
|
Aanpassingsnetwerk |
Vermogen |
0~1000W |
Frequentie |
13,56 MHz |
|
Vacuümsysteem | ||
Droge pomp |
Droge pomp |
|
Vacuümpijpleiding |
Zware vacuümbellows |
|
Materiaal |
Kwarts |
|
Afmetingen binnenkant kamer |
354 mm × 508 mm (diameter × diepte) |
|
Vacuümniveau |
120 mTorr @ 2 min |
|
Aantal geprocesseerde wafers |
25 stuks (8 inch) / 50 stuks (4 inch, 6 inch) |
|
Kamerlekkagegraad |
≤10 mTorr |
|
Basisvacuüm |
≤50 mTorr @ 3 min |
|
Procesgas | ||
Stroombereik |
O2: 1000 sccm Ar: 1000 sccm |
|
Procesgasleiding |
(O2, Ar) + 1 extra aansluiting |
|
Besturingssysteem | ||
Systeemcontrole |
PC |
|
Levering |
Industrieel touchscreenbeeldscherm |
|
Fotolakverwijdering |
Opmerking |
||
Ontgommingspercentage |
≧200 A/min |
Dat hangt af van de specifieke klantmonsters en verwerkingsomstandigheden. |
|
WIW |
SPEC ≦20% |
|
|
WTW |
SPEC ≦20% |
||
Lot-naar-lot |
SPEC ≦20% |
||



Copyright © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. Alle rechten voorbehouden