Penggunaan laser yang tidak terlihat, sebagai penyelesaian untuk pemotongan wafer dengan laser, berkesan mengelakkan masalah yang disebabkan oleh pengiris cakera gergaji. Pemotongan laser yang tidak terlihat dicapai dengan membentuk satu plis laser pulsa melalui cara optik, membenarkan ia melalui permukaan bahan dan fokus di dalam bahan. Dalam kawasan fokus, ketumpatan tenaga adalah tinggi, membentuk kesan penyerapan bukan linear multi-foton, yang menukar bahan untuk membentuk retakan. Setiap plis laser bertindak pada jarak yang sama, membentuk kerosakan bersamaan untuk membentuk lapisan yang dimodifikasi di dalam bahan. Pada kedudukan lapisan yang dimodifikasi, ikatan molekul bahan terputus, dan sambungan bahan menjadi rapuh dan mudah dipisahkan. Selepas dipotong, produk sepenuhnya dipisahkan dengan meregangkan filem pembawa, mencipta ruang antara cip-cip. Kaedah pemprosesan ini mengelakkan kerosakan yang disebabkan oleh sentuhan mekanikal langsung dan bilasan dengan air murni. Pada masa kini, teknologi pemotongan laser yang tidak terlihat boleh diterapkan kepada safir/kaca/silikon dan pelbagai wafer semikonduktor majmuk.