Teknologi pengetching ion reaktif yang diikat secara induktif adalah sejenis RIE. Teknologi ini mencapai penyahkoppelan antara kepadatan ion plasma dan tenaga ion dengan mengawal fluks ion secara berasingan, seterusnya meningkatkan ketepatan dan kelenturan proses pengetching.
Produk siri penggerudian ion reaktif berpasangan secara induktif (ICP-RIE) berketumpatan tinggi adalah berdasarkan teknologi plasma berpasangan secara induktif dan bertujuan memenuhi keperluan penggerudian halus serta penggerudian semikonduktor gubahan. Ia mempunyai kestabilan proses dan kebolehulangan proses yang sangat baik, serta sesuai untuk aplikasi dalam semikonduktor silikon, optoelektronik, maklumat dan komunikasi, peranti kuasa, dan peranti gelombang mikro.
Bahan yang Berkenaan:
1. Bahan berasaskan silikon: silikon (Si), silikon dioksida (SiO2), silikon nitrida (SiNx), silikon karbida (SiC)...
2. Bahan III-V: indium fosforida (InP), gallium arsenida (GaAs), gallium nitrida (GaN)...
3. Bahan II-VI: kadmium telurida (CdTe)...
4. Bahan magnetik/bahan aloi
5. Bahan logam: aluminium (Al), emas (Au), tungsten (W), titanium (Ti), tantalum (Ta)...
6. Bahan organik: resist foto (PR), polimer organik (PMMA/HDMS), filem nipis organik...
7. Bahan ferroelektrik/fotoelektrik: litium niobat (LiNbO3)...
8. Bahan dielektrik: nilam (Al2O3), kuarsa...
Aplikasi berkaitan:
1. Pengukiran kisi: digunakan untuk paparan 3D, peranti mikro-optik, optoelektronik, dan lain-lain;
2. Pengukiran semikonduktor gandaan: digunakan untuk LED, laser, komunikasi optik, dan lain-lain;
3. Substrat safir berpola (PSS);
4. Pengukiran litium niobat (LiNO3): pengesan, optoelektronik;
Item |
MD150S-ICP |
MD200S-ICP |
MD150CS-ICP |
MD200CS-ICP |
MD300C-ICP |
||||
Saiz Produk |
≤6 inci |
≤8 inci |
≤6 inci |
≤8 inci |
Suai≥12inci |
||||
SRF Sumber kuasa |
0~1000W/2000W/3000W/5000W Tersuaikan, penyegerakan automatik\,13.56MHz/27MHz |
||||||||
BRF Sumber kuasa |
0~300W/0~500W/0~1000W Tersuaikan, penyegerakan automatik,2MHz/13.56MHz |
||||||||
Pump molekul |
Tidak kerosakkan : 600 /1300 (L/s)/Suai |
Anti-kerosakan:600 /1300 (L./s)/Suai |
600/1300(L/s) /Suai |
||||||
Pump Foreline |
Pump Mekanikal / pump kering |
Pump kering anti-korosi |
Pump Mekanikal / pump kering |
||||||
Pump pra-pumping |
Pump Mekanikal / pump kering |
Pump Mekanikal / pump kering |
|||||||
Tekanan proses |
Tekanan tidak terkawal/0-0.1/1/10Torr tekanan terkawal |
||||||||
Jenis gas |
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/NH3/C2F6/Tersuai (Hingga 12 saluran, tiada gas korosif & toksik) |
H2/CH4/O2/N2/Ar/SF6/CF4/CHF3/ C4F8/NF3/NH3/C2F6/Cl2/BCl3/HBr/ Tersuai (Hingga 12 saluran) |
|||||||
Dapur gas |
0~5sccm/50sccm/100sccm/200sccm/300sccm/500sccm/1000sccm/Pembuatan Sendiri |
||||||||
Muatan Kunci |
Ya/Tidak |
Ya |
|||||||
Kawalan suhu sampel |
10°C~Suhu Bilik/ -30°C~150°C /Pembuatan Sendiri |
-30°C~200°C/Pembuatan Sendiri |
|||||||
Penyejukan helium belakang |
Ya/Tidak |
Ya |
|||||||
Pembalut rongga proses |
Ya/Tidak |
Ya |
|||||||
Kawalan suhu dinding rongga |
Tidak/Suhu Bilik-60/120°C |
Suhu Bilik~60/120°C |
|||||||
Sistem Kawalan |
Kereta/persuaian |
||||||||
Bahan pemberesan |
Berdasarkan silikon: Si/SiO2/ SiNx/ SiC..... Bahan organik: PR/Organik filem...... |
Berdasarkan silikon: Si/SiO2/SiNx/SiC III-V: InP/GaAs/GaN...... IV-IV: SiC II-VI: CdTe...... Bahan magnetik \/ bahan aloi Bahan logam: Ni\/Cr\/Al\/Cu\/Au... Bahan organik: PR\/filem organik...... Pengikisan dalam silikon |
Hak Cipta © Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd. Semua Hak Dilindungi