Guangzhou Minder-Hightech Co.,Ltd.

Начална страница
За нас
Оборудване MH
Видео на случая
Решение
Потребители От Заграница
Свържете се с нас
Начало> Апарат за монтиране на чипове
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер
  • Субмикронен мултифункционален дай бондер

Субмикронен мултифункционален дай бондер

Приложения: Микрокомпонентно сглобяване, процес на разделяне за специализирани материали, фотодиод

Прикрепване на чипове, опаковане и свързване на висококачествени чипове, свързване на лазерни барове

Лазерно свързване, различни видове ултрависокоточни микросглобявания, сглобяване на висококачествени устройства

Мултифункционалният субмикронен дай-бондер е високопроизводителна система, проектирана за процеси на микросглобяване и свързване при разработката на лабораторни технологии. Тя поддържа широк спектър от приложения — включително свързване на дай към топлоотводна подложка и дай към пластина, сглобяване на миниатюрни компоненти, свързване на лазерни диоди, опакетиране на висококачествени устройства и чипове, ултрависокоточно микросглобяване, сглобяване на фотодиоди, свързване на лазерни ленти и отделяне на специализирани материали — и служи като основен инструмент за експериментални изследвания и разработки в различни области.

Приложения:

Микрокомпонентно сглобяване, процес на разделяне за специализирани материали, фотодиод

Прикрепване на чипове, опаковане и свързване на висококачествени чипове, свързване на лазерни барове

Лазерно свързване, различни видове ултрависокоточни микросглобявания, сглобяване на висококачествени устройства

Свързване на дай към топлоотводна подложка:

1-2.png

Свързване на дай към пластина

1-3.png

Основни предимства:

  1. Високото качество на изображението;
  2. Икономически ефективни решения и приложения;
  3. Изключително ефективна техническа поддръжка след продажба.

Процес:

  1. Евтектично свързване чрез импулсно загряваща долната платформа;
  2. Дозиране и потапяне (UV-отвердяващи адхезиви, термоотвердяващи адхезиви, сребърна паста и др.);
  3. Термокомпресионно свързване с температурно профилирано загряване на разположителната дюза (за AuSn, предварително оформени припои и др.);
  4. UV-отвердяване (ултравиолетово облъчване);
  5. Ултразвуково свързване на златни изпъкналости при flip-chip монтаж.

Характеристики:

  1. Визуална система за позициониране с обратна връзка и точност ±0,5 μm
  2. Модулна конструкция и високо ниво на системна интеграция; конкретни модули могат да се добавят по необходимост, за да отговарят на различни сложни процеси и приложения
  3. Модули за разполагане на субстрати и дюзи за вземане на чипове поддържат широк диапазон от размери, което елиминира нуждата от чести смяни на компонентите
  4. Висока прецизност и изключителна стабилност се запазват последователно в продължение на дълги периоди на работа
  5. Реалновременен мониторинг на процеса и ясна, интуитивна визуализация правят управлението изключително просто и удобно

Модули за конфигурация / Допълнителни приложни модули

  1. Оптична система
  2. Компютърна единица
  3. Устройство за UV-облъчване
  4. Фиксиране с фино регулиране по XYZ
  5. Високоточна мраморна платформа
  6. Камерен асембль за страничен изглед
  7. Работна рамка с намалена вибрация
  8. Система за защита с инертен газ

1-5.png

  1. Вакуумна и пневматична система
  2. Уреди за контрол на налягането
  3. Поддръжка за ултразвукови модули за термокомпресионно свързване
  4. Горна нагревателна/дюзова сглобка
  5. Контролер на дозиращия модул
  6. Странно монтиран дозиращ модул
  7. Контролер с постоянна температура
  8. Контролер с импулсно нагряване

1-6.png

Технически параметри:

Параметър

СПЕЦ

Точност на разполагане

До +/– 0,5 µm (обхват на точността избираем чрез опциите за конфигурация)

Размер на чипа

0.05 mm от 0,05 mm до 100 mm × 100 mm (обхват на размерите на кристала/чипа избираем чрез опциите за конфигурация)

Размер на субстрата

0.05 mm от 0,05 mm до 300 mm × 300 mm (обхват на размерите на субстрата избираем чрез опциите за конфигурация)

Температура

До 500 °C (метод на нагряване и обхват на температурата избираем чрез опциите за конфигурация)

Сила на свиване

0,05 N до 5000 N (обхват на силата на свързване, избираем чрез опциите за конфигурация)

Опционални конфигурации:

1. Конвенционално термокомпресионно свързване – изисква модули като: стандартни необгрявани съдове за вземане, модули за контролирано нагряване с регулиран температурен профил и модули за високоточен натиск.

2. Стандартно свързване на кристали (без нагряване) – изисква модули като: стандартни необгрявани съдове за вземане и модули за високоточен натиск.

3. Свързване на кристали с дозиране на епоксидна смола – изисква модули като: стандартни необгрявани съдове за вземане, ръчни дозиращи модули и модули за високоточен натиск.

4. Ултразвуково златно-топково свързване – изисква модули като: стандартни необгрявани съдове за вземане, ултразвукови модули и модули за високоточен натиск.

5. Свързване на кристали в режим на разделяне – изисква модули като: универсални самобалансиращи се съдове за вземане, модули за контролирано нагряване с регулиран температурен профил и модули за високоточен натиск.

Заявка

Заявка Имейл Whatsapp WeChat
Най-горе
×

Свържете се с нас